文/ Kim Boram
首尔，8月5日(韩联社)——世界第二大存储芯片制造商SK海力士公司周一表示，它将专注于开发下一代高带宽存储(HBM)芯片的先进封装技术，旨在巩固其在蓬勃发展的人工智能(AI)芯片市场的领导地位。
HBM是一种高性能DRAM，需求量很大，尤其是美国人工智能芯片巨头英伟达公司(Nvidia Corp.)的图形处理单元，这是人工智能计算的关键组件。SK海力士以第五代HBM3E产品在市场上处于领先地位。最新的12层HBM3E产品计划在第三季度量产。
HBM的生产涉及堆叠多个DRAM芯片，因此封装技术对于解决散热和翘曲等挑战至关重要。
SK海力士封装开发部长李圭济强调了混合键合等下一代封装技术的重要性。这些技术旨在允许更高的芯片堆叠，提高性能和容量，同时保持产品厚度在标准规格内。
李在镕在接受三星电子新闻编辑室采访时表示:“虽然由于芯片之间的差距缩小，热控制仍然是一个挑战，但这些新的封装技术有望解决这个问题，满足客户日益多样化的性能需求。”他强调，及时开发这些技术对于满足市场的多样化需求至关重要。
李会长认为，SK海力士在HBM市场上的领先地位得益于2019年与HBM2E一起推出的大规模回流模塑下填料(MR-MUF)等关键封装技术的开发。MR-MUF在堆叠的芯片之间注入液体保护材料，显著降低热量。
他表示，与MR-MUF一起批量生产HBM2E，成为HBM市场的“游戏规则改变者”，SK海力士在人工智能时代引领了行业。
对于第五代HBM3E，特别是最新的12层HBM3E, SK海nix开发了先进的MR-RUF封装技术，以提高堆叠芯片数量的散热能力。
先进的MR-MUF允许芯片堆叠比前几代薄40%，热量和翘曲更少。
Lee指出，先进的MR-MUF将应用于更广泛的应用领域，进一步巩固SK海力士在HBM技术方面的领导地位。
三星电子计划在明年下半年推出12层的HBM4，并根据客户需求在2026年推出16层的HBM4。
他表示:“SK海力士将在确保新技术的同时，继续以优异的散热性能加强现有的Advanced MR-MUF。”
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